यदि $n_{e}$ और $n_{h}$ फॉस्फोरस के साथ भारी मात्रा में डोप किए गए अर्धचालक में क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं,तो:

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है? एक $p$-प्रकार के अर्धचालक को किसके साथ डोप किया जाता है?

$n$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन $\underline{TRUE}$ (सत्य) है?

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉनों $(n_e)$ और होल्स $(n_h)$ की सांद्रता समान है और यह $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। यदि इंडियम के साथ डोपिंग के बाद होल्स की सांद्रता $(n_h)$ बढ़कर $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है,तो डोप्ड $Si$ में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $(n_e)$ की गणना करें।

एक शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में $301 \ K$ पर इलेक्ट्रॉन-होल सांद्रता $10^{16} \ m^{-3}$ है। अब,प्रति घन मीटर $10^{21}$ फास्फोरस परमाणु मिलाए जाते हैं। सिलिकॉन में नई होल सांद्रता (प्रति $m^3$ में) क्या है?

$n-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?