निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है? एक $p$-प्रकार के अर्धचालक को किसके साथ डोप किया जाता है?

$n$-प्रकार और $p$-प्रकार के अर्धचालकों के बारे में संक्षेप में लिखें।

$n$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में:

एक बाह्य अर्धचालक (extrinsic semiconductor) में होल और इलेक्ट्रॉन का संख्या घनत्व क्रमशः ${N_p}$ और ${N_e}$ है। तो:

अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (mobility) को उनके अनुगमन वेग (drift velocity) और लागू विद्युत क्षेत्र के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है। यदि एक $n$-प्रकार के अर्धचालक के लिए,इलेक्ट्रॉनों का घनत्व $10^{19} \ m^{-3}$ है और उनकी गतिशीलता $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ है,तो अर्धचालक की प्रतिरोधकता (चूंकि यह एक $n$-प्रकार का अर्धचालक है,होल्स के योगदान को नजरअंदाज किया गया है) ................ $\Omega \cdot m$ के करीब है।

जब एक $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,तो आवेश वाहकों (charge carriers) के साथ क्या होता है?