એક ઇન્ટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ છે. મોટી સંખ્યામાં વિદ્યુતભાર વાહકો ધરાવતું એક્સટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર કેવું હશે?

ધારો કે એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$.

અર્ધવાહકમાંથી વહેતો વિદ્યુત પ્રવાહ કોના ડ્રિફ્ટ (ડ્રિફ્ટ) ને કારણે હોય છે?

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં એનર્જી ગેપ $E_{g}$ એ $1.2 \; eV$ છે. તેની હોલ મોબિલિટી ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી કરતા ઘણી ઓછી છે અને તાપમાનથી સ્વતંત્ર છે. $600 \; K$ અને $300 \; K$ તાપમાને વાહકતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ધારો કે આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $n_{i}$ નું તાપમાન પરનું નિર્ભરતા $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n_{0}$ એક અચળાંક છે.

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય,તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય છે?

જો જર્મેનિયમ સ્ફટિકમાં એન્ટિમનીની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે,તો: