જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય,તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય છે?

એક સેમિકન્ડક્ટરની ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $\mu_{n}$ અને $\mu_{p}$ છે. જો તેની આંતરિક કેરિયર ઘનતા $n_{i}$ હોય,તો આપેલ તાપમાને વાહકતા ન્યૂનતમ હોય તે માટે હોલ સાંદ્રતા $p$ નું મૂલ્ય શું હશે?

બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યારે ડોપિંગનું સ્તર વધારવામાં આવે છે ત્યારે:

શુદ્ધ સિલિકોનમાં, એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. જો સિલિકોનમાં બોરોનનું ડોપિંગ એવી રીતે કરવામાં આવે કે જેથી હોલની ઘનતા વધીને $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય, તો ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા કેટલી હશે?

$N$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

એક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલની સંખ્યાનો ગુણોત્તર $7/5$ છે અને તેમના પ્રવાહનો ગુણોત્તર $7/4$ છે,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?