આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,બે સમાન પ્લેટો વચ્ચેનું સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ છે. નીચેની પ્લેટમાં એક છિદ્ર છે. જો $q$ વિદ્યુતભાર,$m$ દળ અને $E$ ઉર્જા ધરાવતો કણ આ છિદ્ર દ્વારા આ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં પ્રવેશે,તો કણ ઉપરની પ્લેટ સાથે અથડાશે નહીં જો:

એક પ્રોટોન અને એક આલ્ફા-કણ સમાન વેગથી ગતિ કરતા સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં તેમના વેગ ચુંબકીય ક્ષેત્રને લંબરૂપે દાખલ થાય છે. તેમના વર્તુળાકાર પથની ત્રિજ્યાઓનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$m$ દળ ધરાવતો પ્રોટોન $v$ ઝડપથી ($v << c$, જ્યાં $c$ એ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશનો વેગ છે) ગતિ કરે છે અને સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $T$ સમયમાં વર્તુળાકાર કક્ષા પૂર્ણ કરે છે. જો પ્રોટોનની ઝડપ વધારીને $\sqrt{2}v$ કરવામાં આવે, તો વર્તુળાકાર કક્ષા પૂર્ણ કરવા માટે કેટલો સમય લાગશે?

$m$ દળ અને $q$ વીજભાર ધરાવતો એક કણ $v$ ઝડપ સાથે ચુંબકીય ક્ષેત્રના વિસ્તારમાં (આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ) પ્રવેશ કરે છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક વિસ્તાર એવો છે જ્યાં ચુંબકીય ક્ષેત્ર ગેરહાજર છે. આ વિસ્તારમાં પ્રવેશ્યા પછી કણ એક સખત દીવાલ સાથે સ્થિતિસ્થાપક અથડામણ કરે છે. કણનો વેગ તેના પ્રારંભિક વેગની વિરુદ્ધ દિશામાં (anti-parallel) બને તે માટે લાગતો સમય કેટલો હશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર્જ થયેલ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં પ્રવેશે છે. પ્લેટો પરની પૃષ્ઠ ઘનતા $\sigma$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા $E$ છે. આ જગ્યામાં $E$ ની દિશાને લંબરૂપે એક સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ પણ અસ્તિત્વ ધરાવે છે. ઇલેક્ટ્રોન $\overrightarrow{E}$ અને $\overrightarrow{B}$ બંનેને લંબરૂપે દિશામાં કોઈ પણ ફેરફાર વગર ગતિ કરે છે. ઇલેક્ટ્રોનને આ જગ્યામાં $l$ અંતર કાપવા માટે લાગતો સમય કેટલો હશે?

જો ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ $(2 \hat{i} + 3 \hat{j}) \text{ m s}^{-1}$ હોય અને તે $4 \hat{k} \text{ T}$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં પ્રવેશ કરે,તો . . . . . . .