$P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में $20 \, mA$ तक की धारा सहन कर सकता है। डायोड के सिरों पर विभवांतर $0.5 \, V$ है, जिसे धारा से स्वतंत्र माना गया है। जब $125 \, \Omega$ का प्रतिरोध इसके साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा जाता है, तो डायोड को फॉरवर्ड बायस करने के लिए उपयोग की जाने वाली बैटरी का अधिकतम वोल्टेज क्या होगा ($V$ में)?

$p-n$ जंक्शन को कब और क्यों फॉरवर्ड बायस कहा जाता है? इस बायस के अंतर्गत होने वाले परिवर्तनों का वर्णन कीजिए।

सिलिकॉन $P-N$ जंक्शन में फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में आवेश वाहकों (charge carriers) की गति के लिए प्रमुख तंत्र क्या हैं?

दो समान $p-n$ जंक्शनों को नीचे दिखाए अनुसार तीन तरीकों से एक बैटरी के साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा गया है। किन परिपथों में दोनों $p-n$ जंक्शनों के सिरों पर विभव पतन (potential drop) समान है?

निम्नलिखित वाक्यों में से कौन सा कथन गलत है? एक उपकरण जिसमें $P$ और $N$-प्रकार के अर्धचालकों का उपयोग किया जाता है,वह वैक्यूम ट्यूब की तुलना में अधिक उपयोगी है क्योंकि: