કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમના પરમાણુઓમાં દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેમના વેલેન્સ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેના એનર્જી બેન્ડ ગેપને અનુક્રમે $(E_g)_C$, $(E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. તેમના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?
- A$(E_g)_C > (E_g)_{Si}$
- B$(E_g)_C = (E_g)_{Si}$
- C$(E_g)_C < (E_g)_{Ge}$
- D$(E_g)_C < (E_g)_{Si}$
Explore More
Similar Questions
સોલિડ સ્ટેટ સેમિકન્ડક્ટર ઇલેક્ટ્રોનિક્સની ટૂંકી સમજૂતી આપો.
Easy
View Solutionજો કોઈ પદાર્થનો ઉર્જા ગેપ $5.4 \ eV$ હોય,તો તે પદાર્થ શું છે?
$0.7 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 4.136 \times 10^{-15} \ eV \cdot s$, પ્રકાશનો વેગ $c = 3 \times 10^8 \ m/s$).
ઘન પદાર્થોમાં બેન્ડ સ્ટ્રક્ચરનું પ્રગટીકરણ શેના કારણે થાય છે?
MediumAIEEE 2004
View Solutionઅર્ધવાહકમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $(n)$ અને તાપમાન $(T)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?
Easy
View SolutionVedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo