હાઈ સ્પિન d^4 અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ માટે ક્રિસ્ટલ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(B) હાઈ સ્પિન અષ્ટફલકીય સંકીર્ણમાં,ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્પ્લિટિંગ એનર્જી $\Delta_o$ ઓછી હોય છે. તેથી,ચોથા ઈલેક્ટ્રોનને નીચી ઉર્જા ધરાવતી $t_{2g}$ કક્ષકોમાં

Vedclass · Accepted Answer

$- 0.6 \Delta_o$

Vedclass · Answer

(B) હાઈ સ્પિન અષ્ટફલકીય સંકીર્ણમાં,ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્પ્લિટિંગ એનર્જી $\Delta_o$ ઓછી હોય છે. તેથી,ચોથા ઈલેક્ટ્રોનને નીચી ઉર્જા ધરાવતી $t_{2g}$ કક્ષકોમાં જોડવા માટે જરૂરી ઉર્જા,તેને ઉચ્ચ ઉર્જા ધરાવતી $e_g$ કક્ષકમાં મૂકવા માટે જરૂરી ઉર્જા કરતા વધારે હોય છે. આમ,હાઈ સ્પિન $d^4$ સંકીર્ણ માટે ઈલેક્ટ્રોનિક રચના $t_{2g}^3 e_g^1$ થાય છે. ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્ટેબિલાઈઝેશન એનર્જી $(CFSE)$ ની ગણતરી નીચે મુજબ છે: $	ext{CFSE} = (3 	imes -0.4 \Delta_o) + (1 	imes 0.6 \Delta_o)$ $= (-1.2 + 0.6) \Delta_o$ $= -0.6 \Delta_o$

હાઈ સ્પિન $d^4$ અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ માટે ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્ટેબિલાઈઝેશન એનર્જી $(CFSE)$ કેટલી છે?

Similar Questions

નીચેનામાંથી કયા સંકીર્ણ આયનો તેમની સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજનની માત્રાના સંદર્ભમાં સાચા ક્રમમાં નથી?

નીચેનામાંથી કયા સંકીર્ણ સંયોજનમાં $e_g$ કક્ષકોના સમૂહમાં અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા મહત્તમ છે?

જો $\Delta_0 < P$ હોય,તો $d^4$ પ્રણાલી માટે સાચું ઈલેક્ટ્રોનિક સંરૂપણ ..... છે.

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module