અનબાયસ્ડ સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડમાં ડેપ્લેશન રિજન એવો વિસ્તાર છે જેમાં શું હોય છે?

વિધાન $I :$ જ્યારે $Si$ ના નમૂનામાં બોરોન ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે તે $P$-પ્રકારનું બને છે અને જ્યારે આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે તે $N$-પ્રકારનું સેમિકન્ડક્ટર બને છે,જેથી $P$-પ્રકારમાં હોલ્સની અધિકતા અને $N$-પ્રકારમાં ઇલેક્ટ્રોનની અધિકતા હોય છે.
વિધાન $II$ : જ્યારે આવા $P$-પ્રકાર અને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર્સને જોડીને જંકશન બનાવવામાં આવે છે,ત્યારે આપમેળે વિદ્યુતપ્રવાહ વહે છે જેને બાહ્ય રીતે જોડાયેલા એમીટર વડે શોધી શકાય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.

$p-n$ જંકશનના ફોરવર્ડ બાયસિંગમાં:

સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડમાં,રિવર્સ બાયસ કરંટ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સના ડ્રિફ્ટને કારણે હોય છે,જે શેના દ્વારા થાય છે?

અનબાયસ્ડ $PN$ જંકશનના ડેપ્લેશન ઝોન (depletion zone) અંગે નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન/વિધાનો સાચું/સાચા છે?
$(A)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સ (અશુદ્ધિઓ) ની ઘનતાથી સ્વતંત્ર છે.
$(B)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સની ઘનતા પર આધારિત છે.
$(C)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર આયનીકૃત ડોપન્ટ પરમાણુઓ દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે.
$(D)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન અને વેલેન્સ બેન્ડમાં રહેલા હોલ્સ દ્વારા પૂરું પાડવામાં આવે છે.

જ્યારે $p-n$ ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય,ત્યારે