एक अनबायस्ड सेमीकंडक्टर डायोड में डिप्लीशन रीजन वह क्षेत्र है जिसमें क्या होता है?

$Ge$ और $Si$ डायोड क्रमशः $0.3\,V$ और $0.7\,V$ पर चालन शुरू करते हैं। निम्नलिखित आकृति में,यदि $Ge$ डायोड का कनेक्शन उलट दिया जाए,तो $V_0$ का मान कितने से बदल जाएगा: ...... $V$ (मान लें कि $Ge$ डायोड का ब्रेकडाउन वोल्टेज बहुत अधिक है)।

फॉरवर्ड बायस मोड में,$p-n$ जंक्शन डायोड

एक आदर्श डायोड मानते हुए,चित्र में दिखाए गए परिपथ में $1 \Omega$ के प्रतिरोध से प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए।

एक अर्धचालक $X$ को जर्मेनियम क्रिस्टल में इंडियम $(Z = 49)$ मिलाकर बनाया जाता है। दूसरा अर्धचालक $Y$ जर्मेनियम क्रिस्टल में आर्सेनिक $(Z = 33)$ मिलाकर बनाया जाता है। दोनों को सिरे से जोड़कर चित्रानुसार बैटरी से जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

जब एक $P-N$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में होता है,तो निम्नलिखित में से क्या सत्य है?