अर्धचालक (सेमीकंडक्टर) की डोपिंग (छोटे अशुद्धि परमाणुओं के साथ) सामान्यतः प्रतिरोधकता को किस प्रकार बदलती है?

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_{g}$,$1.2 \; eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता से बहुत कम है और तापमान से स्वतंत्र है। $600 \; K$ और $300 \; K$ पर चालकता का अनुपात क्या है? मान लीजिए कि आंतरिक वाहक सांद्रता $n_{i}$ की तापमान निर्भरता $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ द्वारा दी गई है,जहाँ $n_{0}$ एक स्थिरांक है।

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी? प्रति $cm^3$ इलेक्ट्रॉन-होल जोड़ों की संख्या $1.072 \times 10^{10}$ है। दिया गया है: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ और $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

एक $n$-प्रकार के अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं और होल अल्पसंख्यक आवेश वाहक होते हैं। एक $n$-प्रकार के अर्धचालक का आवेश होता है

$5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ इलेक्ट्रॉन सांद्रता,$5 \times 10^{19} \, m^{-3}$ होल सांद्रता,$2.0 \, m^2 \, V^{-1} \, s^{-1}$ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और $0.01 \, m^2 \, V^{-1} \, s^{-1}$ होल गतिशीलता वाले अर्धचालक नमूने की चालकता क्या है? (इलेक्ट्रॉन का आवेश $1.6 \times 10^{-19} \, C$ लें)