निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

• A
  शुद्ध $Ge$ में त्रिसंयोजी (trivalent) अशुद्धि मिलाने से $n$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।
• B
  शुद्ध $Ge$ की प्रतिरोधकता तापमान के साथ बढ़ती है।
• C
  $p$-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक (majority carriers) होल होते हैं।
• D
  शुद्ध $Ge$ में पंचसंयोजी (pentavalent) अशुद्धि मिलाने से इसकी प्रतिरोधकता बढ़ जाती है।