નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?
- Aશુદ્ધ $Ge$ માં ટ્રાયવેલેન્ટ અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી $n$-પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર મળે છે.
- Bશુદ્ધ $Ge$ ની અવરોધકતા તાપમાન સાથે વધે છે.
- C$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં મેજોરિટી કેરિયર્સ હોલ્સ (holes) હોય છે.
- Dશુદ્ધ $Ge$ માં પેન્ટાવેલેન્ટ અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી તેની અવરોધકતા વધે છે.
Explore More
Similar Questions
સિલિકોન સ્ફટિકમાં ફોરબિડન ગેપની પહોળાઈ $1.1 \, eV$ છે. જ્યારે સ્ફટિકને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફર્મી લેવલનું કન્ડક્શન બેન્ડથી અંતર કેટલું હોય છે?
Easy
View Solutionનીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?
ધારો કે $n_e$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા છે અને $v_d$ એ ડ્રિફ્ટ વેગ છે. જ્યારે તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે:
Medium
View Solutionજ્યારે સેમિકન્ડક્ટરને ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે ત્યારે,
$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર છે। હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)
Difficult
View SolutionVedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo