આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ડોપિંગ શા માટે કરવામાં આવે છે?

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકો કયા અશુદ્ધિ તત્વને ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે?

શુદ્ધ સિલિકોનમાં $T = 300 \ K$ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $7 \times 10^{15} \ m^{-3}$ છે. એન્ટિમનીને સિલિકોનમાં $10^7 \ Si$ પરમાણુ દીઠ $1$ પરમાણુના દરે અશુદ્ધિ તરીકે ઉમેરવામાં આવે છે. ધારો કે અડધા અશુદ્ધિ પરમાણુઓ તેમના ઈલેક્ટ્રોન કન્ડકશન બેન્ડમાં આપે છે. ભાર વાહકોની સંખ્યામાં થતો વધારો દર્શાવતો ઘટક શોધો. આપેલ છે: સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \ m^{-3}$ છે.

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની ઘનતા $3 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. એલ્યુમિનિયમ સાથે ડોપિંગ કરવા પર,હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. હવે,ડોપ્ડ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી હશે?

$N-$ પ્રકાર અને $P-$ પ્રકારના સિલિકોન શુદ્ધ સિલિકોનમાં શેનું ડોપિંગ કરીને મેળવી શકાય છે?