ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની ઘનતા $3 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. એલ્યુમિનિયમ સાથે ડોપિંગ કરવા પર,હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. હવે,ડોપ્ડ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી હશે?

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં હોલ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા સંતુલન સ્થિતિમાં $1.4 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે અને હોલની સાંદ્રતા $n_{h} = 4 \times 10^{22} \ m^{-3}$ હોય,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

$P-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,

ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરેલ સેમિકન્ડક્ટર એ ........... છે.

$300 \text{ K}$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા $(n_i) = 10^{16} \text{ per m}^3$ છે. જો પ્રતિ ઘન મીટર $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ $(n_D)$ ઉમેરવામાં આવે, તો સિલિકોન સ્ફટિકમાં નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં એનર્જી ગેપ $E_{g}$ એ $1.2 \; eV$ છે. તેની હોલ મોબિલિટી ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી કરતા ઘણી ઓછી છે અને તાપમાનથી સ્વતંત્ર છે. $600 \; K$ અને $300 \; K$ તાપમાને વાહકતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ધારો કે આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $n_{i}$ નું તાપમાન પરનું નિર્ભરતા $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n_{0}$ એક અચળાંક છે.