$P-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,

$N$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

શુદ્ધ સિલિકોનના નમૂનામાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા જ ડોનર પરમાણુઓ સક્રિય હોય,તો $20 ^oC$ તાપમાને અવરોધકતા (resistivity) કેટલી હશે? જો ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ હોય. ($\Omega \cdot \text{cm}$ માં)

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?

એક અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની આંતરિક સાંદ્રતા $6 \times 10^8 \ m^{-3}$ છે. કેટલીક અશુદ્ધિ ઉમેર્યા પછી,ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $9 \times 10^{12} \ m^{-3}$ થાય છે. નવા હોલની સાંદ્રતા શોધો.

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.