$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?

  • A
    $p$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^9 \, m^{-3}$ છે
  • B
    $n$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ છે
  • C
    $p$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{10} \, m^{-3}$ છે
  • D
    $n$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{23} \, m^{-3}$ છે

Explore More

Similar Questions

$6.4 \ \Omega^{-1} \ cm^{-1}$ વાહકતા ધરાવતો $n$-પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવા પડતા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા કેટલી હશે? $n$-પ્રકારના જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $4 \times 10^3 \ cm^2 \ V^{-1} \ s^{-1}$ છે. વાહકતામાં હોલ્સના ફાળાને અવગણો.

શુદ્ધ સિલિકોનના સેમ્પલમાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા ડોનર અણુઓ સક્રિય હોય અને ઈલેક્ટ્રોનની મોબિલીટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ હોય, તો $20^\circ\text{C}$ તાપમાને અવરોધકતા $\Omega\cdot\text{cm}$ માં કેટલી હશે?

$P-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર ત્યારે બને છે જ્યારે:

$P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક .......

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં, ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo