આપેલ સર્કિટમાં $V_{AB}$ નું મૂલ્ય શોધો.

એક સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણને બેટરી અને અવરોધ સાથે શ્રેણી સર્કિટમાં જોડવામાં આવે છે. સર્કિટમાંથી વિદ્યુતપ્રવાહ પસાર થાય છે. જો બેટરીની ધ્રુવીયતા ઉલટાવવામાં આવે,તો પ્રવાહ લગભગ શૂન્ય થઈ જાય છે. આ ઉપકરણ કયું હોઈ શકે?

$p-n$ જંકશનના $n$-વિસ્તારમાં રહેલો એક ઇલેક્ટ્રોન $5 \times 10^5 \ m/s$ ની ઝડપથી જંકશન તરફ ગતિ કરે છે. જો જંકશનનો બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.45 \ V$ હોય, તો બેરિયરમાંથી પસાર થયા પછી ઇલેક્ટ્રોન જે ઝડપ સાથે $p$-વિસ્તારમાં પ્રવેશ કરે છે તે શોધો (ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ અને ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$).

થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ એટલે શું? $Ge$ અને $Si$ માટે થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજનું મૂલ્ય લખો.

આપેલ પરિપથમાં બે આદર્શ ડાયોડ એક બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ કેટલો છે ($A$ માં)?

ધારો કે ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં સિલિકોન ડાયોડ પર $0.7 \text{ V}$ નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે, તો પરિપથમાં ડાયોડ $D_1$ માંથી વહેતો પ્રવાહ . . . . . . $\text{mA}$ છે. (ધારો કે આપેલ પરિપથમાં બધા ડાયોડ સમાન છે)