નીચેનામાંથી સામાન્ય કામગીરી માટે સાચી સર્કિટ આકૃતિઓ ઓળખો.

$2.8 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી એક $p-n$ જંકશન બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ આશરે તરંગલંબાઈ શોધી શકતું નથી ($nm$ માં)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ અને $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ નો ઉપયોગ કરો ]

એક લાલ $LED$ $0.1 \ W$ પર પ્રકાશનું ઉત્સર્જન સમાન રીતે બધી દિશાઓમાં કરે છે. ડાયોડથી $1 \ m$ ના અંતરે પ્રકાશના વિદ્યુતક્ષેત્રનો કંપવિસ્તાર .... $V \ m^{-1}$ છે.

$p-n$ ફોટોડાયોડ $2.0\, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ પદાર્થ દ્વારા શોષી શકાય તેવા વિકિરણની લઘુત્તમ આવૃત્તિ આશરે કેટલી હશે?

જ્યારે $2480 \; nm$ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ અર્ધવાહક પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેની વિદ્યુત વાહકતા વધે છે. અર્ધવાહક માટે બેન્ડ ગેપ $eV$ માં કેટલો હશે?

$GaAsP$ નો ઉપયોગ કરીને $p-n$ જંકશન ડાયોડમાંથી $LED$ બનાવવામાં આવે છે. એનર્જી ગેપ $1.9\; eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?