यदि $p-n$ जंक्शन डायोड रिवर्स बायस में है,तो:

  • A
    विभव प्राचीर (potential barrier) घटता है।
  • B
    अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई घटती है।
  • C
    विद्युत चालन संभव है।
  • D
    अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ती है।

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एक $2\,V$ की बैटरी एक डायोड को फॉरवर्ड बायस करती है। डायोड के सिरों पर $0.5\,V$ का वोल्टेज ड्रॉप है जो धारा से स्वतंत्र है। साथ ही,$10\,mA$ से अधिक की धारा बड़ी जूल ऊष्मा उत्पन्न करती है और डायोड को क्षतिग्रस्त कर देती है। यदि डायोड को $5\,mA$ पर संचालित करना है,तो उपयोग किया जाने वाला श्रेणी प्रतिरोध क्या होगा?

दिए गए परिपथ में, लोड प्रतिरोध $(R_L)$ के सिरों पर विभवांतर है: ($V$ में)

किसी $p-n$ जंक्शन डायोड में जो किसी परिपथ से नहीं जुड़ा है:

निम्नलिखित में से कौन सा रिवर्स-बायस्ड (reverse-biased) है?

एक सिलिकॉन डायोड में $100\, mA$ की फॉरवर्ड $DC$ धारा के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $1.2\, V$ है। $10\, V$ के रिवर्स वोल्टेज के लिए इसका रिवर्स करंट $1\times10^{-6}\, A$ है। डायोड का बल्क और रिवर्स प्रतिरोध क्या है?

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