જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય,તો ઉષ્મીય સંતુલનમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $(n_i)$ કેટલી થાય?

એક $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \; meV$ પર છે. હોલ બનાવવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)

જર્મેનિયમ $(Ge)$ માં એલ્યુમિનિયમ $(Al)$ ની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સ્વીકારનાર અણુઓનું સંકેન્દ્રણ $N_A \cong 10^{21} \text{ atoms/m}^3$ હોય અને આંતરિક વાહક સંકેન્દ્રણ $n_i = 10^{19} \text{ m}^{-3}$ હોય,તો ઈલેક્ટ્રોનનું સંકેન્દ્રણ કેટલું હશે?

અંતર્ગત અર્ધવાહક વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ હોય છે. તો બહિર્ગત અર્ધવાહક વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ કેવો હોય છે?

એક સેમિકન્ડક્ટરની ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $\mu_{n}$ અને $\mu_{p}$ છે. જો તેની આંતરિક કેરિયર ઘનતા $n_{i}$ હોય,તો આપેલ તાપમાને વાહકતા ન્યૂનતમ હોય તે માટે હોલ સાંદ્રતા $p$ નું મૂલ્ય શું હશે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \text{ meV}$ પર છે. હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ($\mathring{A}$ માં) કેટલી હશે?