જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $6000 \, \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $4000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો:

ધાતુની થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $1.5 \ eV$ છે. તો આપાત થતાં ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં શોધો.

$600 \,nm$ અને $200 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા બે પ્રકાશના તરંગો એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. એક તરંગલંબાઈને કારણે ઉત્પન્ન થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ બીજી તરંગલંબાઈને કારણે ઉત્પન્ન થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગ કરતા $\frac{1}{3}$ ગણો છે,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.

એક ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6600 \, \mathring{A}$ છે. આ માટેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?