જો સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડમાં ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ બમણો કરવામાં આવે,તો ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ

$p-n$ જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહનું મૂલ્ય ડ્રિફ્ટ પ્રવાહ કરતા વધારે હોય છે જ્યારે:

રિવર્સ બાયસ $pn$-જંકશન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ:

ડાયોડનો વોલ્ટેજ $0.5 \ V$ અને મહત્તમ પાવર રેટિંગ $100 \ mW$ છે. પરિપથમાં મહત્તમ પ્રવાહ મેળવવા માટે $R$ નું મૂલ્ય .......... $\Omega$ હોવું જોઈએ.

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયરનું કારણ શું છે?

$PN$-જંકશન ડાયોડમાં $27^\circ C$ તાપમાને રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટ ${10^{-5}} \ A$ છે. $0.2 \ V$ ના વોલ્ટેજ માટે ફોરવર્ડ કરંટની ગણતરી કરો. આપેલ છે: $[\exp(7.62) = 2038.6, \ k_B = 1.4 \times {10^{-23}} \ J/K, \ e = 1.6 \times {10^{-19}} \ C]$.