રિવર્સ બાયસ $pn$-જંકશન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ:

જો $Si$ અને $Ge$ ડાયોડ માટે બેરિયર પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $0.7 \ V$ અને $0.3 \ V$ હોય,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે,તો $V_0$ અને $I$ ના મૂલ્યો શોધો. જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ અને $I$ ના નવા મૂલ્યો અનુક્રમે શોધો.

જ્યારે $P-N$ જંકશન પર કોઈ બાયસ લાગુ કરવામાં ન આવે,ત્યારે પ્રવાહ:

બે એક સમાન $P-N$ જંકશન બેટરી સાથે નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ત્રણ રીતે શ્રેણીમાં જોડી શકાય. તો કયા બે પરિપથમાં $P-N$ જંકશન પરનો વિદ્યુત સ્થિતિમાનનો તફાવત સમાન હશે?

આકૃતિમાં $p-n$ જંકશન ડાયોડનો $I-V$ લાક્ષણિકતા આલેખ દર્શાવેલ છે. જ્યારે $1 \text{ V}$ નો ફોરવર્ડ બાયસ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે $p-n$ જંકશનનો આશરે ડાયનેમિક અવરોધ શોધો. ($\Omega$ માં)

ક્રિસ્ટલ ડાયોડ એ એક: