જો સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા અને હોલ્સની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર $\frac{7}{5}$ હોય અને પ્રવાહનો ગુણોત્તર $\frac{7}{4}$ હોય,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં શું હોય છે?

$P-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,

$Ge$ ના નમૂનામાં $Al$ ઉમેરવામાં આવે છે. એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સાંદ્રતા $10^{21} \text{ atoms}/m^3$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની આંતરિક સાંદ્રતા $10^{19} /m^3$ હોય, તો નમૂનામાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

જો એક સેમિકન્ડક્ટરની આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $1.41 \times 10^{16} \, m^{-3}$ હોય,અને તેને $10^{21} \, m^{-3}$ ફોસ્ફરસ સાથે ડોપ કરવામાં આવે,તો ઓરડાના તાપમાને હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં એનર્જી ગેપ $E_{g}$ એ $1.2 \; eV$ છે. તેની હોલ મોબિલિટી ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી કરતા ઘણી ઓછી છે અને તાપમાનથી સ્વતંત્ર છે. $600 \; K$ અને $300 \; K$ તાપમાને વાહકતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ધારો કે આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $n_{i}$ નું તાપમાન પરનું નિર્ભરતા $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n_{0}$ એક અચળાંક છે.