P-N जंक्शन में,बैरियर विभव (barrier potential | vedclass

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Question

(A) $P-N$ जंक्शन $p$-प्रकार और $n$-प्रकार के अर्धचालकों के बीच का इंटरफेस है। जब दोनों अर्धचालकों को जोड़ा जाता है,तो आवेश वाहक जंक्शन के पार विसरित (

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$N$ क्षेत्र में मुक्त इलेक्ट्रॉन और $P$ क्षेत्र में होल

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(A) $P-N$ जंक्शन $p$-प्रकार और $n$-प्रकार के अर्धचालकों के बीच का इंटरफेस है। जब दोनों अर्धचालकों को जोड़ा जाता है,तो आवेश वाहक जंक्शन के पार विसरित (diffuse) होते हैं। विशेष रूप से,$n$-क्षेत्र से इलेक्ट्रॉन $p$-क्षेत्र की ओर और $p$-क्षेत्र से होल $n$-क्षेत्र की ओर गति करते हैं। यह विसरण जंक्शन के पास अचल आयनित परमाणुओं को छोड़ देता है,जिससे एक अवक्षय परत (depletion region) बनती है। इन अचल आयनों द्वारा उत्पन्न विद्युत क्षेत्र एक बैरियर विभव बनाता है। यह बैरियर विभव बहुसंख्यक आवेश वाहकों ($n$-क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन और $p$-क्षेत्र में होल) की जंक्शन के पार आगे की गति का विरोध करता है। इसलिए,बैरियर विभव $n$-क्षेत्र में मुक्त इलेक्ट्रॉनों और $p$-क्षेत्र में होल के लिए प्रतिरोध प्रदान करता है।

$P-N$ जंक्शन में,बैरियर विभव (barrier potential) किसके लिए प्रतिरोध उत्पन्न करता है?

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