$p-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

$N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પરનો કુલ વિદ્યુતભાર કેટલો હોય છે?

$\text{એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા } 6 \times 10^{15} \,m^{-3} \text{ છે. અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને } 4 \times 10^{22} \,m^{-3} \text{ થાય છે. ઉષ્મીય સંતુલનમાં, ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?}$

જર્મેનિયમમાં ઇન્ડિયમની અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી શું બને છે?