જર્મેનિયમમાં ઇન્ડિયમની અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી શું બને છે?

જો અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને હોલની સંખ્યા ઘનતાનો ગુણોત્તર $7/5$ હોય અને તેમના પ્રવાહોનો ગુણોત્તર $7/4$ હોય,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક સિલિકોન નમૂનાને $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ સરેરાશ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરીને $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms}/m^3$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?

ડોનર અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે? આ અશુદ્ધિઓના નામ આપો.

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?

$m^{3}$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $5 \times 10^{22}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ આર્સેનિક અને $5 \times 10^{20}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ ઇન્ડિયમનું એકસાથે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_{i} = 1.5 \times 10^{16} \; m^{-3}$. શું આ પદાર્થ $n$-ટાઈપ છે કે $p$-ટાઈપ?