एक डायोड $AM$-डिटेक्टर में,आउटपुट सर्किट $R = 1 \, k\Omega$ और $C = 10 \, pF$ से बना है। $100 \, kHz$ के कैरियर सिग्नल को डिटेक्ट करना है। क्या यह अच्छा है?

एक फॉरवर्ड बायस्ड $PN$-जंक्शन डायोड में,डिप्लेशन क्षेत्र में विभव प्राचीर (potential barrier) किस रूप में होता है...

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

$p-n$ जंक्शन में विसरण (डिफ्यूजन) धारा का परिमाण अपवाह (ड्रिफ्ट) धारा से अधिक होता है जब:

$pn$ जंक्शन के लिए,स्पेस चार्ज क्षेत्र (space charge region) की चौड़ाई लगभग $\qquad$ $\mu m$ होती है।