एक फॉरवर्ड बायस्ड $p-n$ जंक्शन डायोड में,डिप्लीशन क्षेत्र में विभव प्राचीर (potential barrier) किस रूप में होगा?

$P-N$ जंक्शन में,जब धारा का मान बढ़ता है,तो संपर्क विभव (contact potential) ..........

चित्र में,$A$ और $B$ के बीच विभवांतर......$V$ है।

एक $p-n$ जंक्शन डायोड को $5.7 \ V$ के emf वाली बैटरी के साथ $5 \ k\Omega$ के प्रतिरोधक के श्रेणीक्रम में इस प्रकार जोड़ा जाता है कि यह अग्र अभिनत (forward biased) हो। यदि डायोड का रोधिका विभव (barrier potential) $0.7 \ V$ है,और डायोड के प्रतिरोध को नगण्य माना जाए,तो परिपथ में धारा का मान क्या होगा?

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड $D_1$ और $D_2$ चित्र में दिखाए अनुसार जुड़े हैं। प्रतिरोध $R_1$ से प्रवाहित होने वाली धारा होगी ($\,A$ में)

एक $P-N$ जंक्शन ............ होता है।