$d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરમાં, $t$ જાડાઈની ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટન્સ મૂળ મૂલ્યના એક-તૃતીયાંશ થઈ જાય છે. સ્લેબનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

બે પ્લેટો વડે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર રચેલ છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $100 \ cm^2$ છે અને તે $1 \ mm$ ના અંતરે અલગ કરેલી છે. $5.0$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $1.9 \times 10^7 \ V/m$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ ધરાવતું ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક પ્લેટોની વચ્ચે ભરવામાં આવે છે. ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક બ્રેકડાઉન કર્યા સિવાય કેપેસિટર પર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિદ્યુતભાર શોધો.

$XY$-સમતલમાં ચોરસ આકારની પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનો વિચાર કરો. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરેલી છે. ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k$ એ $X$-અક્ષની સાથે $k(x) = \left[1 + \left(\frac{x}{L}\right)^\alpha\right]$ મુજબ બદલાય છે,જ્યાં $\alpha$ એક અચળાંક છે. ધારો કે $C_d$ અને $C_a$ એ અનુક્રમે ડાયલેક્ટ્રિક અને હવાના માધ્યમમાં કેપેસીટન્સ છે. જો ગુણોત્તર $\frac{C_d}{C_a} = \frac{7}{6}$ હોય,તો $\alpha$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને ચાર્જ કરીને પછી અલગ કરવામાં આવે છે. જ્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે નીચેનામાંથી શું બદલાતું નથી?

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $1 \mu F$ છે. હવે કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે ડાયલેક્ટ્રિક્સ વડે ભરવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)? [$d=$ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર,$K_1$ અને $K_2$ એ અનુક્રમે પ્રથમ અને બીજા ડાયલેક્ટ્રિકના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો છે]

એક હવાના કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવાથી શું વધે છે?