એક શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં $301 \ K$ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. સિલિકોનમાં નવી હોલ સાંદ્રતા (દર $m^3$ દીઠ) કેટલી હશે?

એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં,વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $7.07 \times 10^{15} \, m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે,ત્યારે હોલ્સની ઘનતા $5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા શોધો.

$P$-પ્રકારના જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,તેને શેના વડે ડોપ કરવું જોઈએ?

અર્ધવાહકમાં પોઝિટિવ હોલ એટલે શું?

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા અનુક્રમે $8 \times 10^{18} \, m^{-3}$ અને $5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $2.3 \, m^2/V \cdot s$ અને $0.01 \, m^2/V \cdot s$ હોય,તો સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું છે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ સિલિકોનમાં જે અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે તે કયા છે?