$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ સિલિકોનમાં જે અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે તે કયા છે?

$1 \ m^3$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $4.5 \times 10^{21}$ પરમાણુ $/ m^3$ આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે. ડોપિંગ પછી ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલ્સની સંખ્યાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે? ($n_i = 1.5 \times 10^{16} / m^3$ લો)

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં:

ટ્રાન્ઝિસ્ટર એ એક ........... છે.

જો હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાને અનુક્રમે $n_h$ અને $n_e$ વડે દર્શાવવામાં આવે,તો અંતર્ગત (intrinsic) અર્ધવાહક માટે નીચેનામાંથી શું સાચું છે?

$N$-પ્રકારના $Ge$ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઈલેક્ટ્રોન્સની મોબિલિટી $5000 \ cm^2/V \cdot s$ અને વાહકતા $5 \ mho/cm$ છે. જો હોલ્સની અસર અવગણી શકાય તેવી હોય,તો અશુદ્ધિ પરમાણુઓની સાંદ્રતા કેટલી હશે?