$P$-प्रकार के अर्धचालक बनाने के लिए शुद्ध सिलिकॉन में मिलाए जाने वाले अशुद्धि परमाणु किसके होते हैं?

एक शुद्ध अर्धचालक की चालकता को किसके द्वारा बढ़ाया जा सकता है?

यदि एक अर्धचालक की आंतरिक वाहक सांद्रता $1.41 \times 10^{16} \, m^{-3}$ है,और इसे $10^{21} \, m^{-3}$ फास्फोरस के साथ डोप किया जाता है,तो कमरे के तापमान पर होल्स की सांद्रता क्या होगी?

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉनों $n_e$ और होल्स $n_h$ की सांद्रता $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। इंडियम के डोपिंग द्वारा $n_h$ को बढ़ाकर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ कर दिया जाता है। तो डोप्ड सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉनों $n_e$ की सांद्रता ज्ञात कीजिए।

$n-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?