જો હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાને અનુક્રમે $n_h$ અને $n_e$ વડે દર્શાવવામાં આવે,તો અંતર્ગત (intrinsic) અર્ધવાહક માટે નીચેનામાંથી શું સાચું છે?

$P-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ એટલે શું?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં કુલ પ્રવાહનું સૂત્ર લખો.

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં એનર્જી ગેપ $E_{g}$ એ $1.2 \; eV$ છે. તેની હોલ મોબિલિટી ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી કરતા ઘણી ઓછી છે અને તાપમાનથી સ્વતંત્ર છે. $600 \; K$ અને $300 \; K$ તાપમાને વાહકતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ધારો કે આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $n_{i}$ નું તાપમાન પરનું નિર્ભરતા $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n_{0}$ એક અચળાંક છે.

જ્યારે $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે, ત્યારે

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?