જ્યારે $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે, ત્યારે

અર્ધવાહકમાં પોઝિટિવ હોલ એટલે શું?

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની ઘનતા $3 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. એલ્યુમિનિયમ સાથે ડોપિંગ કરવા પર,હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. હવે,ડોપ્ડ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી હશે?

$1\,cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $0.5\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી $Ge$ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની વિરુદ્ધ બાજુઓ વચ્ચે $2\,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. જો $Ge$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $2 \times 10^{19}/m^{3}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ અને $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ હોય,તો પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે ($,A$ માં)?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર માટે કયું વિધાન સાચું છે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?