एक अर्धचालक में,इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $8 \times 10^{14} \text{ cm}^{-3}$ है और होल्स की सांद्रता $5 \times 10^{12} \text{ cm}^{-3}$ है। यह अर्धचालक है

जब एक अर्धचालक में थोड़ी मात्रा में अशुद्धि परमाणु मिलाए जाते हैं, तो सामान्यतः इसकी प्रतिरोधकता:

एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों का संख्या घनत्व क्रमशः $8 \times 10^{18} \ m^{-3}$ और $5 \times 10^{18} \ m^{-3}$ है। यदि इलेक्ट्रॉनों और होलों की गतिशीलता (mobility) क्रमशः $2.3 \ m^2/V \cdot s$ और $0.01 \ m^2/V \cdot s$ है,तो अर्धचालक होगा:

अर्धचालक में विद्युत धारा किसके अपवाह (drift) के कारण होती है?

यदि $N_A$ मिलाए गए स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है और $N_D$ एक अर्धचालक में मिलाए गए दाता (donor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है,और $n_e$ तथा $n_h$ इसमें इलेक्ट्रॉनों और कोटरों (holes) का संख्या घनत्व है,तो:

$500\, K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान है,जो $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?