$n$-ટાઈપ સિલિકોનમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે, જો $n_h$ અને $n_e$ અનુક્રમે એકમ કદ દીઠ હોલ્સની સંખ્યા અને એકમ કદ દીઠ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા દર્શાવતા હોય, તો:

જર્મેનિયમ સ્ફટિકમાં થોડા પ્રમાણમાં ઍન્ટિમની અશુદ્ધિ ઉમેરતાં શું થાય છે?

ધારો કે $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ ધરાવતા $Si$ સ્ફટિકમાં $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતાના $As$ નું ડોપિંગ કરીને $n$-ટાઈપ વેફર બનાવવામાં આવે છે. આ વેફરમાં $p$-વિસ્તાર બનાવવા માટે સપાટી પર $200 \text{ ppm}$ બોરોન ઉમેરવામાં આવે છે. $n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$ ધ્યાનમાં લઈને,$(i)$ $n$ અને $p$ વિસ્તારોમાં વિદ્યુતભાર વાહકોની ઘનતા ગણો. $(ii)$ જ્યારે ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય ત્યારે કયા વિદ્યુતભાર વાહકો રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટમાં મોટો ફાળો આપશે તે જણાવો.

જ્યારે સેમિકન્ડક્ટરને ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે ત્યારે,

જર્મેનિયમ સળિયાની લંબાઈ $0.928 \ cm$ છે અને તેના આડછેદનું ક્ષેત્રફળ $1 \ mm^2$ છે. જો જર્મેનિયમ માટે $n_i = 2.5 \times 10^{19} \ m^{-3}$,$\mu_h = 0.15 \ m^2 V^{-1} s^{-1}$,અને $\mu_e = 0.35 \ m^2 V^{-1} s^{-1}$ હોય,તો અવરોધકતા કેટલી હશે?