અનબાયસ્ડ $n-p$ જંકશનમાં,ઇલેક્ટ્રોન $n-$ વિસ્તારમાંથી $p-$ વિસ્તારમાં પ્રસરણ પામે છે કારણ કે

  • A
    $p-$ વિસ્તારમાં રહેલા હોલ્સ તેમને આકર્ષે છે
  • B
    પોટેન્શિયલ તફાવતને કારણે ઇલેક્ટ્રોન જંકશનની આરપાર ગતિ કરે છે
  • C
    માત્ર ઇલેક્ટ્રોન $n$ થી $p$ વિસ્તારમાં જાય છે અને તેનાથી ઉલટું થતું નથી
  • D
    $p-$ વિસ્તારની સરખામણીમાં $n-$ વિસ્તારમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધુ હોય છે

Explore More

Similar Questions

વિધાન: આપેલ આકૃતિમાં $p-n$ જંકશનમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ $10\, mA$ હશે.
કારણ: ઉપરની આકૃતિમાં,$p-$બાજુ $n-$બાજુ કરતા ઉચ્ચ સ્થિતિમાન પર છે.

Difficult
View Solution

આપેલ પરિપથમાં આદર્શ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......$mA$ છે.

આપેલ આકૃતિમાં, જો ડાયોડનો ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.2 \, V$ હોય, તો $A$ અને $B$ વચ્ચેનો વોલ્ટેજ તફાવત કેટલો હશે ($V$ માં)?

જો $p-n$ જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય,તો નીચેનામાંથી કઈ આકૃતિ સેમિકન્ડક્ટરની અંદર પ્રવાહની સાચી દિશા દર્શાવે છે?

સિલિકોન $P-N$ જંકશનમાં ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસમાં ચાર્જ કેરિયર્સની ગતિ માટેના મુખ્ય મિકેનિઝમ કયા છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo