एक अनबायस्ड $n-p$ जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन $n-$ क्षेत्र से $p-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि
- A$p-$ क्षेत्र में मौजूद होल उन्हें आकर्षित करते हैं
- Bविभवांतर के कारण इलेक्ट्रॉन जंक्शन के पार यात्रा करते हैं
- Cकेवल इलेक्ट्रॉन $n$ से $p$ क्षेत्र में जाते हैं और इसके विपरीत नहीं
- D$p-$ क्षेत्र की तुलना में $n-$ क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन सांद्रता अधिक होती है
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एक $P-N$ जंक्शन डायोड में,यदि $P$ क्षेत्र $n$ क्षेत्र की तुलना में अधिक भारी रूप से डोप (heavily doped) किया गया है,तो अवक्षय परत (depletion layer) होगी:
Medium
View Solutionदी गई आकृति में,बिंदु $A$ का वोल्टेज ............ $V$ है।
Easy
View Solution$PN$-जंक्शन डायोड में $27^\circ C$ पर रिवर्स सैचुरेशन करंट ${10^{-5}} \ A$ है। $0.2 \ V$ के वोल्टेज के लिए फॉरवर्ड करंट की गणना करें। दिया गया है: $[\exp(7.62) = 2038.6, \ k_B = 1.4 \times {10^{-23}} \ J/K, \ e = 1.6 \times {10^{-19}} \ C]$.
Difficult
View Solutionकिस आकृति में जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस्ड (forward biased) है?
चित्र में दिखाए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड $D_1$ और $D_2$ हैं। यदि $3 \text{ V}$ विद्युत वाहक बल (emf) और नगण्य आंतरिक प्रतिरोध वाली एक सेल को चित्रानुसार जोड़ा जाता है,तो $70 \Omega$ प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पियर में) क्या होगी?
MediumKCET 2025
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