એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના કિસ્સામાં, કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળા વિકિરણને ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ સંભવિત વેગ કેટલો હશે? ($m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ, $h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)

સોડિયમ અને કોપર માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2 \ eV$ અને $4 \ eV$ છે. $4000 \ \mathring{A}$ પ્રકાશનો ઉપયોગ કરતા ફોટોસેલ માટે તેમાંથી કયું યોગ્ય છે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{2\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, અન્ય પરિબળોને અચળ રાખીને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારવામાં આવે છે $(f > f_0)$. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

$\phi_0$ વર્ક-ફંક્શન ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે (જ્યાં $\lambda < \frac{hc}{\phi_0}$). સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_d$ છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $\Delta \lambda$ જેટલો ફેરફાર થવાથી $\lambda_d$ માં $\Delta \lambda_d$ જેટલો ફેરફાર થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{\Delta \lambda_d}{\Delta \lambda}$ કોના સમપ્રમાણમાં છે?

જ્યારે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v$ થી બદલાઈને $\frac{3v}{2}$ થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ બમણું થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?