ફોરવર્ડ બાયસમાં,$P-N$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયરની પહોળાઈ:

$p-n$ જંકશનને કેપેસિટર તરીકે ગણો, જેમાં $p$ અને $n$-મટિરિયલ પાતળા ધાતુના ઇલેક્ટ્રોડ તરીકે અને ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ તેમની વચ્ચેના અંતર તરીકે કાર્ય કરે છે. આના આધારે, ધારો કે એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર $CE$ કોન્ફિગરેશનમાં એમ્પ્લીફાયર તરીકે કામ કરી રહ્યું છે. જો $C_1$ અને $C_2$ એ બેઝ-એમિટર્સ અને કલેક્ટર-એમિટર્સ જંકશન કેપેસિટન્સ હોય, તો :

જ્યારે $P-N$ જંકશન પર કોઈ બાયસ લાગુ કરવામાં ન આવે,ત્યારે પ્રવાહ:

$2\,V$ ની બેટરી ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરે છે. ડાયોડ પર $0.5\,V$ નો ડ્રોપ છે જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર છે. ઉપરાંત,$10\,mA$ કરતા વધારે પ્રવાહ મોટી જૂલ ઉષ્મા ઉત્પન્ન કરે છે અને ડાયોડને નુકસાન પહોંચાડે છે. જો ડાયોડને $5\,mA$ પર ચલાવવાનો હોય,તો શ્રેણીમાં જોડવાનો અવરોધ કેટલો હશે?

સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડ પર ટૂંકી નોંધ લખો.

સિલિકોન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ $1 \, \mu m$ છે અને ની પોટેન્શિયલ $0.6 \, V$ છે, તો ડેપ્લેશન લેયરમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કેટલું હશે?