ઓરડાના તાપમાને આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા કેટલી હોય છે?

નીચેની બેન્ડ-એનર્જી આકૃતિ શું દર્શાવે છે?

એક શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં $301 \ K$ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. સિલિકોનમાં નવી હોલ સાંદ્રતા (દર $m^3$ દીઠ) કેટલી હશે?

એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં,વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $7.07 \times 10^{15} \, m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે,ત્યારે હોલ્સની ઘનતા $5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા શોધો.

સિલિકોન સ્ફટિકમાં ફોરબિડન ગેપની પહોળાઈ $1.1 \, eV$ છે. જ્યારે સ્ફટિકને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફર્મી લેવલનું કન્ડક્શન બેન્ડથી અંતર કેટલું હોય છે?

એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1 \, ppm$ સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. હોલ્સની સંખ્યા શોધો. ($n_i = 1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ લો)