$PN$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस करने के लिए,बैटरी का ऋणात्मक टर्मिनल किससे जोड़ा जाता है?

दिए गए नेटवर्क में वोल्टेज $V_0$ का मान क्या है?

चित्र में दिखाए गए $P-N$ जंक्शन डायोड के लिए कौन सा विकल्प सही है?

चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है