ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર (photoelectric effect) માં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ આલેખનો ઢાળ (slope) . . . . . . છે.

$1824 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા,$5.3 \ eV$ મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન થાય છે. જ્યારે $1216 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઉર્જા $8.7 \ eV$ હોય છે. ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) .............. $eV$ છે.

વિધાન : જ્યારે અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_{max}$ છે. જ્યારે અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશને $X-$ કિરણો દ્વારા બદલવામાં આવે છે,ત્યારે $V_0$ અને $K_{max}$ બંને વધે છે.
કારણ : આપાત પ્રકાશમાં રહેલી આવૃત્તિઓની શ્રેણીને કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રોન શૂન્યથી મહત્તમ મૂલ્ય સુધીની ઝડપ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે.

જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ થી બદલીને $310 \ nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ........ $eV$ છે.

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય $Na = 1.92 \, eV, K = 2.15 \, eV, Mo = 4.17 \, eV, Ni = 5.0 \, eV$ આપેલ છે. આ ધાતુઓ પૈકી કઈ ધાતુ $He-Cd$ લેસરમાંથી $3300 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઈના ઉત્સર્જન માટે ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં?

મર્ક્યુરી લેમ્પ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની આવૃત્તિ પરની નિર્ભરતાનો અભ્યાસ કરવા માટે એક અનુકૂળ સ્ત્રોત છે,કારણ કે તે $UV$ થી દ્રશ્યમાન વર્ણપટના લાલ છેડા સુધીની ઘણી વર્ણપટ રેખાઓ આપે છે. રુબિડિયમ ફોટોસેલ સાથેના અમારા પ્રયોગમાં,મર્ક્યુરી સ્ત્રોતની નીચેની રેખાઓનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો:
$\lambda_1 = 3650 \,\mathring{A}, \lambda_2 = 4047 \,\mathring{A}, \lambda_3 = 4358 \,\mathring{A}, \lambda_4 = 5461 \,\mathring{A}, \lambda_5 = 6907 \,\mathring{A}$
તેમના અનુરૂપ સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ નીચે મુજબ માપવામાં આવ્યા હતા:
$V_{01} = 1.28 \,V, V_{02} = 0.95 \,V, V_{03} = 0.74 \,V, V_{04} = 0.16 \,V, V_{05} = 0 \,V$
પ્લાન્કનો અચળાંક $h$,થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ અને પદાર્થ માટે વર્ક ફંક્શનનું મૂલ્ય નક્કી કરો.