ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,જ્યારે $h \nu$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી (વર્ક ફંક્શન $h \nu_0$) પર પડે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આના વિશે શું કહી શકાય?

  • A
    બધા જ ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઉર્જા સમાન અને $h \nu - h \nu_0$ જેટલી હોય છે.
  • B
    ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઉર્જા શૂન્યથી $(h \nu - h \nu_0)$ સુધીના ગાળામાં વહેંચાયેલી હોય છે.
  • C
    સૌથી વધુ ઉર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઉર્જા $h \nu$ જેટલી હોય છે.
  • D
    બધા જ ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઉર્જા $h \nu_0$ હોય છે.

Explore More

Similar Questions

$2.1 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $6 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત કરવામાં આવે છે,તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ માં કેટલો હશે?

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $6.825 \ eV$ છે. તો તેની થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે? $(c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

Difficult
View Solution

ધાતુની સપાટી પરથી $\nu_1$ અને $\nu_2$ આવૃત્તિ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1 : k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

પદાર્થ $A$ માં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર જોવા મળે છે. તેનું કાર્ય વિધેય $2.5 \ eV$ છે અને થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. અન્ય પદાર્થ $B$ નું કાર્ય વિધેય $5 \ eV$ છે. $B$ માં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ શોધો.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $v_{\text{max}}$ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચેનો આલેખ નીચેનામાંથી કયા દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવ્યો છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo