આપેલ સંયોજનમાં,$CH_3O^{-}$ ના હુમલા માટે કેટલી સાઇટ્સ ઉપલબ્ધ છે?

નીચે આપેલા અણુમાં પ્રોટોનેશન માટેનું સૌથી સંભવિત સ્થાન કયું છે?

સૂર્યપ્રકાશ વડે કેવા પ્રકારનું વિભાજન શક્ય છે?

કોલમ-$(I)$ માં આપેલી પ્રક્રિયાઓને કોલમ-$(II)$ માં આપેલા પ્રક્રિયાના પ્રકાર સાથે જોડો.

કોલમ-$(I)$ (પ્રક્રિયા)	કોલમ-$(II)$ (પ્રક્રિયાનો પ્રકાર)
$(A)$ $\text{Cyclohexene} + Br_2 \xrightarrow{\Delta, uv} \text{3-Bromocyclohexene}$	$(i)$ $\text{કેન્દ્રાનુરાગી વિસ્થાપન}$
$(B)$ $\text{4-Hydroxybenzyl alcohol} + HCl \xrightarrow{\Delta} \text{4-Hydroxybenzyl chloride}$	$(ii)$ $\text{ઇલેક્ટ્રોનઅનુરાગી યોગશીલ}$
$(C)$ $\text{Cyclohexene} + Br_2 \xrightarrow{CCl_4} \text{1,2-Dibromocyclohexane}$	$(iii)$ $\text{મુક્તમૂલક વિસ્થાપન}$
$(D)$ $\text{Toluene} + Cl_2 \xrightarrow{Fe, \text{dark}} \text{o/p-Chlorotoluene}$	$(iv)$ $\text{એરોમેટિક ઇલેક્ટ્રોનઅનુરાગી વિસ્થાપન}$

નીચેનામાંથી કઈ પ્રક્રિયામાં કાર્બેનાયન (carbanion) મધ્યવર્તી તરીકે બનતું નથી?

ઉપરની પ્રક્રિયામાં,ઇલેક્ટ્રોફાઇલ માત્ર મેટા સ્થાન પર જ વિસ્થાપિત થાય છે,તેનું કારણ છે:
$I$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર વધુ છે
$II$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર પ્રમાણમાં ઓછી છે
$III$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર ઓછી છે
$IV$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર પ્રમાણમાં વધુ છે
સાચો જવાબ છે: