निम्नलिखित विद्युत परिपथ में, मिलीएमीटर का पाठ्यांक क्या है ($\text{ mA}$ में)? (सिलिकॉन डायोड का नी-वोल्टेज $= 0.7 \text{ V}$ लें)

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

चित्र में दिखाए गए फॉरवर्ड बायस्ड डायोड अभिलक्षणों के लिए,$I_{D} = 3 \, \text{mA}$ पर डायनेमिक प्रतिरोध $..... \, \Omega$ होगा।

$p-n$ जंक्शन की फॉरवर्ड बायसिंग में:

एक डायोड सभी धाराओं के लिए $0.5\, V$ के स्थिर विभव पतन (potential drop) पर कार्य करता है और इसकी अधिकतम शक्ति रेटिंग $100\, mW$ है। यदि स्रोत वोल्टेज $1.5\, V$ है,तो डायोड के साथ श्रेणीक्रम में कितना प्रतिरोध जोड़ा जाना चाहिए ताकि परिपथ में धारा अधिकतम हो? ($\Omega$ में)

नीचे दिखाए गए परिपथ में बैटरी से प्रवाहित होने वाली धारा क्या है ($\text{A}$ में)?