$p-n$ जंक्शन डायोड के रिवर्स बायसिंग में,

  • A
    अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई कम हो जाती है।
  • B
    अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
  • C
    अल्पसंख्यक आवेश वाहकों (minority charge carriers) की संख्या बढ़ जाती है।
  • D
    बहुसंख्यक आवेश वाहकों (majority charge carriers) की संख्या बढ़ जाती है।

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एक $P-N$ जंक्शन में,अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और विभव प्राचीर (potential barrier) $0.1 \ V$ है। विद्युत क्षेत्र ($V/m$ में) क्या होगा?

दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5 \,V$ है,तो धारा.....$ mA$ होगी।

Difficult
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नीचे दिखाए गए परिपथ में धारा क्या है?

परिपथ में प्रयुक्त डायोड का बैरियर वोल्टेज $0.5\,V$ है और अधिकतम पावर रेटिंग $10\,mW$ है। डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जुड़े प्रतिरोध $R$ का न्यूनतम मान क्या होना चाहिए?

नीचे दिए गए डायोड में से कौन सा डायोड रिवर्स बायस में है?

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