નીચેનામાંથી કયા અણુમાં મધ્યસ્થ પરમાણુ પર અબંધ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) મધ્યસ્થ પરમાણુ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સંખ્યા શોધવા માટેનું સૂત્ર: $	ext{Lone pairs} = \frac{1}{2} 	imes (V - N)$,જ્યાં $V$ એ મધ્યસ્થ પ

Vedclass · Accepted Answer

$XeF_2$

Vedclass · Answer

(D) મધ્યસ્થ પરમાણુ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સંખ્યા શોધવા માટેનું સૂત્ર: $	ext{Lone pairs} = \frac{1}{2} 	imes (V - N)$,જ્યાં $V$ એ મધ્યસ્થ પરમાણુના સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે અને $N$ એ બંધ બનાવતા ઇલેક્ટ્રોન છે.$1$. $NH_3$ માટે: $N$ પાસે $5$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. તે $3$ બંધ બનાવે છે. $	ext{Lone pairs} = \frac{1}{2} 	imes (5 - 3) = 1$.$2$. $H_2O$ માટે: $O$ પાસે $6$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. તે $2$ બંધ બનાવે છે. $	ext{Lone pairs} = \frac{1}{2} 	imes (6 - 2) = 2$.$3$. $ClF_3$ માટે: $Cl$ પાસે $7$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. તે $3$ બંધ બનાવે છે. $	ext{Lone pairs} = \frac{1}{2} 	imes (7 - 3) = 2$.$4$. $XeF_2$ માટે: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. તે $2$ બંધ બનાવે છે. $	ext{Lone pairs} = \frac{1}{2} 	imes (8 - 2) = 3$.આમ,$XeF_2$ માં મધ્યસ્થ પરમાણુ પર સૌથી વધુ $(3)$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે.

વિભાગ-$A$	વિભાગ-$B$
$(1)$ $AB_3E_2$	$(A)$ $BrF_5$
$(2)$ $AB_2E_2$	$(B)$ $NH_3$
$(3)$ $AB_5E$	$(C)$ $H_2O$
$(4)$ $AB_3E$	$(D)$ $ClF_3$

નીચેનામાંથી કયા અણુમાં મધ્યસ્થ પરમાણુ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સંખ્યા મહત્તમ છે?

Similar Questions

નીચે આપેલ વિભાગ-$A$ અને વિભાગ-$B$ ને યોગ્ય રીતે જોડો.

વિભાગ-$A$ વિભાગ-$B$

$(1)$ $AB_3E_2$ $(A)$ $BrF_5$

$(2)$ $AB_2E_2$ $(B)$ $NH_3$

$(3)$ $AB_5E$ $(C)$ $H_2O$

$(4)$ $AB_3E$ $(D)$ $ClF_3$

$CHCl_3$,$CH_4$,અને $SF_4$ માંથી,કયા અણુઓ નિયમિત ભૂમિતિ ધરાવતા નથી?

બંધકોણનો સાચો ક્રમ કયો છે?

કયા સંયોજનમાં મધ્યસ્થ પરમાણુ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સંખ્યા સૌથી વધુ છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module